Вид документа:

№ журналу

Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. №4 / Мин.- во образов. и науки РФ // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – М., 2004


Статистика використання: Видач: 0


Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал / МИСиС. – Москва



Статтi:
Особенности гетерогенного зарождения в термообработанных пластинах кремния при приложении внешних нагрузок
Структура и физико-химические свойства органического полупроводника на основе полиакрилонитрила и его композита с наночастицами меди
Методология определения механических свойств полупроводниковых материалов с помощью метода непрерывного вдавливания индентора
Влияние "тигельного" экрана на тепловое поле и распределение ростовых микродефектов в монокристаллах кремния диаметром 200мм
Получение GaAs - методом МОС-гидридной эпитаксии
Эпитаксия кремния на цилиндрическую поверхность
Оптическая активность кристаллов лангасита
Йод-йодидный электрод на основе углеродных материалов
Разработка технологии выращивания монокристаллов BaR2F8 методом вертикальной направленной кристаллизации
Влияние внешнего электрического поля на диэлектрические свойства монокристаллов ниобата Бария-стронция конгруэнтного состава
Влияние ионов марганца и калия на свойства феррогранатовых пленок после обработки растворами КMnO4
О химических превращениях полиакрилонитрила при термической обработке в вакууме и атмосфере аммиака
Изменение формы импульса электромагнитного излучения при отражении от поверхности
Термооптический контроль состояния поверхности кремния
Влияние ультразвукового воздействия на характеристики светодиодов зеленого свечения на основе GaP
К модели выхода вторичных электронов из металлов и полупроводников при ионной обработке поверхности
Электронные ловушки, связанные с Si и S, в слоях In1-XGaXP
Изменение структуры слоя Si в КНИ после имплантации ионов Ar+
Атомная структура и методы структурных исследований