Мармалюк А.А. Получение GaAs - методом МОС-гидридной эпитаксии / А.А. Мармалюк // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2004. – №4. – С.21–24
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. №4 / Мин.- во образов. и науки РФ // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – М., 2004
Анотація:
Показано, что скорость роста прямо пропорциональна порциальному давлению триэтилгаллия, не зависит от парциального давления арсина и зависит от относительной температуры (Т/298) в степени 1,8, что отражает диффузионный режим роста, лимитируемый доставкой компонентов третьей группы.