Щербачев К.Д. Изменение структуры слоя Si в КНИ после имплантации ионов Ar+ / К.Д. Щербачев, В.Т. Бублик, Д.М. Пажин // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – 2004. – №4. – C.71–74
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. №4 / Мин.- во образов. и науки РФ // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – М., 2004
Анотація:
Методом рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения исследованы особенности образования устойчивых радиационных дефектов в тонком слое кремния структур " кремний -на - мзоляторе"