Квантовая электроника : научный журнал. № 3. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Статистика використання: Видач: 0
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал / ФИАН, МИФИ и др. – пер. на англ. яз. и публ. под назв. "Quantum Electronics". – Москва
Статтi:
Нелинейный отклик молекулярной газовой среды, обусловленный ориентационными эффектами в поле интенсивного фемтосекундного лазерного импульса
О влиянии эллиптичности сильного поля накачкина генерацию третьей гармоники
Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке
Генератор импульсов для накачки электроразрядных эксимерных лазеров
Использование отражательных динамических решеток в исследовании пленок и поглощающих сред
Оптические потери в одномодовых и многомодовых световодах с высокой концентрацией GeO2 и P2O5
Широкополосный источник излучения на основе иттербиевого волоконного световода с распределенной по длине накачкой
Квантовый компьютер на основе активированных диэлектрических наночастиц, селективно взаимодействующих с короткими оптическими импульсами
Об одном способе получения лазерных пучков с фазовой сингулярностью
Столкновительный сдвиг частотыкороткого электромагнитного импульса
Возбуждение конвективных движений и поверхностных гидродинамических волн солитонного типа в жидких кристаллах лазерным излучением с гауссовым поперечным профилем
Управляемый объектив с деформируемыми зеркалами
Конкуренция мод в акустооптическом генераторес оптическим гетеродинированием
Стохастический квазисинхронизм в нелинейно-оптических кристаллах с нерегулярной доменной структурой
Квазисинхронное самоудвоение и сложение частот в режиме модуляции добротности в лазере на кристаллеNd:Mg:LiNbO3 с регулярной доменной структурой
Влияние квантовых флуктуаций поляризациирассеивающей среды на вынужденное комбинационное рассеяние в фотонном кристалле
XeCl-лазер с энергией излучения 650 Дж
Импульсный фторводородный усилитель,инициируемый входным лазерным излучениемпри колебательном возбуждении молекул HF
Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры
Мощные суперлюминесцентные диоды с неинжектируемыми выходными секциями
Двухчастотный волоконный ВКР-лазер