Двухпроходные суперлюминесцентные диоды с пониженным энергопотреблением на основе многослойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры / Д.С. Мамедов, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин и др. // Квантовая электроника. – 2004. – № 3. – С.206–208
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 3. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
Исследованы суперлюминесцентные диоды (СЛД) спектрального диапазона 820 — 840 нм с искривлённым активным каналом на основе трёхслойной квантоворазмерной (GaAl)As-гетероструктуры, предназначенные для работы без принудительной термостабилизации в диапазоне температур -558С — +\hskip1pt938С с оптической мощностью на выходе одномодового волоконного световода порядка 0.1 мВт. По сравнению с СЛД традиционной конструкции на основе 'объёмной' двойной гетероструктуры с раздельным ограничением носителей получен значительный выигрыш по рабочим токам и потребляемой мощности.