Запорожченко Р.Г. Влияние квантовых флуктуаций поляризациирассеивающей среды на вынужденное комбинационное рассеяние в фотонном кристалле / Р.Г. Запорожченко // Квантовая электроника. – 2004. – № 3. – С.236–240
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 3. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
Приведены результаты расчета ВКР фемтосекундных импульсов в фотонном кристалле (ФК), состоящем из чередующихся четвертьволновых слоев диэлектрика и нелинейно-рассеивающей среды, с учетом квантовых флуктуаций ее поляризации. Из анализа расчетов следует, что статистические свойства поляризации оказывают существенное влияние на длительность и интенсивность импульсов на стоксовой частоте. Эффективное ВКР-преобразование в ФК осуществляется при характерных дисперсионных условиях, обеспечивающих минимальную разность дисперсий частоты накачки и стоксовой частоты, которые определяются как длиной, так и числом периодов ФК.