Исследованы суперлюминесцентные диоды в спектральной области 850 нм на основе (GaAl)As-гетероструктуры с раздельным ограничением. На выходных участках узкого активного канала шириной 4 мкм контактный слой p^+-GaAs был удален, а металлический контакт не наносился. Эти участки выполняли функцию насыщающихся поглотителей. Использование такой конструкции позволило значительно повысить порог катастрофической деградации и получить непрерывную выходную мощность с торца 250 мВт. Мощность, выводимая через отрезок одномодового волоконного световода при простейшем методе стыковки, достигала 110 мВт.