Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал. №2 / Мин.- во образов. и науки РФ // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. – М., 2005
Статистика використання: Видач: 0
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники : научный журнал / МИСиС. – Москва
Статтi:
Успехи и проблемы создания полевых гетеротранзисторов на основе материалов А3B4
Пленки алмаза и кубического нитрида бора, наносимые при низких температурах
Обзор мирового рынка арсенида галлия
Получение четырехкомпонентных твердых растворов методом МОС-гидридной эпитаксии
Получение автоэпитаксиальных слоев кремния на подложках цилиндрической формы методом парофазной эпитаксии химическим осаждением в системе SiH4-H2
Термомеханическая обработка материалов проходной оптики импульсных лазеров среднего ИК- диапазона
Влияние кристаллографической ориентации образца на параметры объемных акустических волн в лагасите при частотах -10-5 Гц
Формирование микронеоднородностей в эпитаксиальных пленках нестехиометричных феррогранатов
Моделирование образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра
Особенности компенсации кремния глубокими примесями Au и Ni
Состояние ионов переходных металлов и природа нелинейных явлений в ферримагнитных полупроводниках
Изменения структуры монокристаллов InSb после облучения нейтронами и отжигов
Определение кристаллографической разориентации в структурах нитридов 111 группы на сапфире и в композициях нитрид-на-нитриде