Вид документа:

№ журналу

Квантовая электроника : научный журнал. № 1. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004


Статистика використання: Видач: 0


Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал / ФИАН, МИФИ и др. – пер. на англ. яз. и публ. под назв. "Quantum Electronics". – Москва



Статтi:
Эволюция огибающей и фазы фемтосекундных импульсовв полых фотонно-кристаллических волокнах
Фазовая самомодуляция фемтосекундных импульсовв полых фотонно-кристаллических волокнах
Эффект катастрофического разрушения в микроструктурированном световоде
Характеристики рециркуляционноговолоконного интерферометра при высокой частотефазовой модуляции излучения
Эффективность неустойчивого резонатора с активной средой, содержащей мелкомасштабные фазовые неоднородности
Управление угловой структурой гармоник высокого порядка
Когерентная длина и уточненные уравнения для ГВГв нелинейных кристаллах с регулярной доменной структурой
Двухквантовое индуцированноевысвобождение энергии изомерных ядер
Полная оптимизация Xe-лазера с электронно-пучковой накачкой на переходах с k=1.73, 2.03, 2.65, 2.63, 3.37 и 3.51 мкм
Светоиндуцированная анизотропия показателя преломления азосодержащего полимера с жидкокристаллическими свойствами
Механизм образования электронов высокой энергии в лазерной плазме
Образование сплава наночастиц Au и Ag при лазерном облучении смеси их коллоидных растворов
Нелинейно-оптические характеристикитонких пленок C_{60 на длине волны 532 нм
КАРС-спектроскопия двуокиси углеродав окрестности критической точки
Лазерное излучение с пространственной деполяризацией
Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов
Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP
Столкновительный газоразрядный лазер на парах тулия
Импульсные Cr^{,2+:ZnS- и Cr^{,2+:ZnSe-лазеры среднего ИК диапазона с накачкой неодимовыми лазерами с модуляцией добротности и сдвигом частоты излучения с помощью ВКР