Исследовано влияние уровня легирования эмиттеров на характеристики лазерных диодов, изготовленных на основе системы AlGaInP/GaInP/GaAs и излучающих на длине волны 670 — 680 нм. Экспериментально показано, что при увеличении отношения уровней легирования эмиттеров P/N наблюдается увеличение плотности тока инверсии J_0 и коэффициента дифференциального усиления {b}. Одновременно с этим монотонно увеличивается и характеристическая температура T_0. Внутренний квантовый выход вынужденной рекомбинации {Z}_0 имеет максимум при P/N=2.1. Изготовлены лазерные диоды с шириной мезаполоски 100 мкм, на которых в непрерывном режиме достигнута мощность излучения до 1000 мВт при эффективности 1.55 Вт/А.