Впервые рассмотрена и решена проблема создания комплексной модели полупроводниковых оптических усилителей на основе многослойных асимметричных квантово-размерных структур для всестороннего анализа и проектирования этих приборов. Сформулированная комплексная модель включает в себя самосогласованную микроскопическую модель активной среды, интегральную модель усиления в сложных КРС, модель сверхбыстрых процессов переноса носителей заряда, модель сверхбыстрой динамики населенности и температуры в активной среде