Магнитотиристор с регулируемыми характеристиками в низкоомном состоянии / Ю.А. Чаплыгин, А.И. Галушков, А.А. Семенов и др. // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2004. – №3. – .41–45
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №3 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2004
Анотація:
Представлены результаты исследования воздействия постоянного магнитного поля на режимы работы симметричного транзисторного эквивалента тиристора, в котором в качестве одного из транзисторов применен двухколлекторный биролярный магнитотранзистор. Показано, что возможна реализация магнитоуправляемого устройства с регулируемыми значениями напряжения переключения и тока в низкоомном состоянии