Выявление скрытых дефектов в МДП-элементах интегральных схем воздействием импульсного магнитного поля / М.Н. Левин, А.В. Татаринцев, В.Р. Гитлин, О.А. Косцова // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2004. – №2. – С.29–34
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №2 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2004
Анотація:
Представлен способ обнаружения скрытых (латентных ) технологических дефектов в кремниевых пластинах и МДП-элементах интегральных схем, основанный на их "проявлении" в результате воздействия импульсного магнитного поля. Эффект "проявления" заключается в том, что локальные неоднородности, не проявляющие электрической активности в исходных образцах, кратковременным воздействием импульсного магнитного поля могут быть переведены в электрически активное состояние