Мурыгин В.И. Дебаевская длина экранирования электрического поля в полупроводниках с различными примесными уровнями / В.И. Мурыгин, В.В. Лосев, В.Б. Гундырев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2004. – №1. – С.43–48
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №1 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2004
Анотація:
Предложена простая методика расчета дебаевской длины экранирования электрического поля в полупроводникахдля практически важных случаев.Результаты расчета дают более полное представление о дебаевской длине экранирования, прежде всего, в конпенсированных полупроводниках