Мурыгин В.И. Дебаевская длина экранирования электрического поля в полупроводниках с различными примесными уровнями / В.И. Мурыгин, В.В. Лосев, В.Б. Гундырев // Известия высших учебных заведений, Электроника. – 2004. – №1. – С.43–48
Складова документа:
Известия высших учебных заведений, Электроника : научно-технический журнал. 1 / МО РФ. МИЭТ. // Известия высших учебных заведений, Электроника. – М. – 2004. – №3
Анотація:
Предложена простая методика расчета дебаевской длины экранирования электрического поля в полупроводникахдля практически важных случаев.Результаты расчета дают более полное представление о дебаевской длине экранирования, прежде всего, в конпенсированных полупроводниках