Найда Г.А. Технологические закономерности выращивания структур AIN и GAN на сапфире при использовании неорганических донорно-акцепторных комплексов / Г.А. Найда, В.В. Смирнов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2005. – №3. – С.7–13
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №3 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2005
Анотація:
Исследован процесс выращивания гетероэпитаксиальных слоев нитридов алюминия и галлия методом пиролиза комплексных соединений GaX3NH3 и ALX3NH3 на подложках ( 0001) и (1012) сапфира. Рассмотрено влияние технологических параметров на качество слоев. Структура слоев исследовалась рентгеновским дифрактометрическим и электронографическим методами, морфология- методами оптической и растровой электронной микроскопии.