Ораевский А.Н. Возможно ли получение больших концентраций носителей в полупроводнике для наблюдения бозе-конденсата при комнатной температуре? / А.Н. Ораевский // Квантовая электроника. – 2003. – № 5. – С.377–379
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 5. Т. 33 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2003
Анотація:
Обсуждаются эксперименты, позволяющие получить высокие концентрации носителей (5times10{19}-10{20} см{-3}) в полупроводнике с помощью фемтосекундных импульсов излучения. При таких концентрациях ожидается образование бозе-конденсата электронно-дырочной плазмы при комнатной температуре, сопровождающееся явлением сверхизлучения. Определена минимальная (пороговая) энергия, которая должна быть поглощена в элементарном акте для получения заданной концентрации свободных носителей. При значительной концентрации носителей в зоне проводимости арсенида галлия могут возникать носители с разным знаком массы, а следовательно, возможно эффективное кулоновское притяжение между носителями одной зоны, что нужно учитывать при образовании коррелированного состояния носителей.