Аркуша Ю.В. Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров // Радиофизика и радиоастрономия. – 2004. – №3. – С.331–336
Складова документа:
Радіофізика і радіоастрономія : научный журнал. №3. Т. 9 / НАНУ. Радиоастрономический ин-т НАНУ. Укр.комитет радиосвязи URSI // Радиофизика и радиоастрономия. – Харьков, 2004
Анотація:
Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна.