Михайлова Г.Н. Увеличение плотности критического тока ВТСП-керамикис помощью лазерного излучения / Г.Н. Михайлова, А.В. Троицкий // Квантовая электроника. – 2003. – № 7. – С.621–627
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 7. Т. 33 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2003
Анотація:
Cистематизированы экспериментальные данные по применению лазерного излучения для плавления высокотемпературных сверхпроводящих керамик YBCO(123) и Bi(2223) с целью улучшения их структуры и увеличения плотности критического тока. Кратковременное плавление этой керамики СО2-лазером и последующий ее отжиг приводят к образованию плотной мелкозернистой структуры. В результате происходит существенное повышение плотности критического тока. Наилучшие результаты получены для керамики Bi(2223): плотность критического тока возросла в 40 раз при T=20 K и в 8 раз при T=77 К.