Исследована зависимость нелинейного пропускания на длине волны 1.54 мкм кристаллов ZnSe, легированных Co2+ методом диффузии в условиях равновесия SZnSe-SCoSe-LZn-V. На основе полученных результатов сделан вывод о том, что остаточные потери в кристалле при больших плотностях энергии излучения на входе в кристалл не связаны с поглощением из возбужденного состояния, а обусловлены потерями, возникающими, возможно, при выращивании и легировании образцов. Определены энергия насыщения и сечение поглощения из основного состояния (Es=0.12±0.03 Дж/см2, s=(11±2)?10-19 см2).