Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb / Т.Т. Басиев, Н.Е. Быковский, В.А. Коношкин, Ю.В. Сенатский // Квантовая электроника. – 2004. – № 12. – С.1138–1142
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 12. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
Для накачки Yb:YAG-лазера c 20%-ной концентрацией активатора применен лазер на центрах окраски LiF:F2+, излучавший в спектральном диапазоне 0.89—0.95 мкм. В малых объемах оптически плотной активной среды YAG:Yb удалось перевести на метастабильный уровень иттербия 2F5/2 до 10% от общего числа ионов активатора, что соответствует запасенной в среде плотности энергии 30 Дж/см3. Получена генерация наносекундных импульсов на переходах между штарковскими компонентами уровней 2F5/2 и 2F7/2 ионов Yb3+ на длинах волн около 1.03 и 1.05 мкм. Обсуждается возможность применения кристаллов и керамики YAG:Yb в качестве активной среды мощного лазера-драйвера для экспериментов по лазерному термоядерному синтезу.