Фотоотражение полупроводниковой лазерной структуры при локальной оптической накачке / М.А. Черников, А.Е. Сотников, О.А. Рябушкин и др. // Квантовая электроника. – 2004. – № 9. – С.875–877
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 9. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
Лазерная AlGaAs/GaAs-гетероструктура с InGaAs-квантовой ямой исследуется бесконтактным методом фотоотражения при локальной оптической накачке. В отличие от традиционного метода фотоотражения области на поверхности образца, освещаемые зондирующим светом и светом накачки, пространственно разнесены. Метод позволяет эффективно разделять сигналы фотолюминесценции и фотоотражения и даeт возможность построить трeхмерное распределение энергетической зонной диаграммы лазерной структуры.