Влияние толщины металлизации на стойкость интегральных микросхем при воздействии электромагнитных полей / В.В. Старостенко, Е.П. Таран, Г.И. Чурюмов и др. // Прикладная радиоэлектроника. – 2003. – №1. – С.88–92.
Складова документа:
Прикладная радиоэлектроника : научно-технический журнал. №1. Т. 2 / АН Прикладной Радиоэлектроники, ХНУРЭ // Прикладная радиоэлектроника. – Х., 2003
Анотація:
Приведены особенности построения математической модели воздействия электромагнитных полей на интегральные микросхемы большой степени интеграции с толщиной проводящих микроструктурных элементов субмикронных размеров