Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах в условиях фазомодулированной пикосекундной накачки / Т.Т. Басиев, П.Г. Зверев, А.Я. Карасик, Д.С. Чунаев // Квантовая электроника. – 2004. – № 10. – С.924–926
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 10. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
Исследован процесс возникновения гистерезиса в зависимости эффективности нестационарного ВКР от энергии пикосекундного лазерного возбуждения. К возникновению гистерезиса приводит частотно-фазовая модуляция лазерного излучения, влияющая на изменение коэффициента ВКР-усиления при изменении степени модуляции.