Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур / М.М. Зверев, Д.В.. Седова И.В. Перегудов, С.В.. Иванов С.В. Сорокин, П.С. Копьев // Квантовая электроника. – 2004. – № 10. – С.909–911
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 10. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
Исследованы параметры Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различной конструкцией активной области, излучающих в зеленом (l = 494—555 нм) спектральном диапазоне при накачке электронным пучком с энергией 8—30 кэВ. Минимальная пороговая плотность тока (0.6—0.8 A/см2 при комнатной температуре) получена для структуры, активная область которой состояла из ZnSe-квантовой ямы с дробно-монослойной CdSe-вставкой.