Иванова Е.П. Теоретический поиск оптимальных параметров накачки для наблюдения усиления спонтанного излучения c l = 41.8 нм на переходе XeIX в плазме / Е.П. Иванова, А.Л. Иванов // Квантовая электроника. – 2004. – № 11. – С.1013–1017
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 11. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
С использованием столкновительно-радиационной модели выполнен атомно-кинетический расчет коэффициентов усиления на переходах Pd-подобного ксенона с длиной волны 41.8 нм в плазме, образованной в результате взаимодействия фемтосекундного лазерного импульса с газообразным ксеноном. Проведено сопоставление коэффициентов усиления g(z, t) усредненных по пространственной и временной координатам, с известными коэффициентами усиления, экспериментально измеренными в Xe8+. Показано, что усиление происходит в режиме ионизации рабочих ионов, а насыщение интенсивности выходящего излучения зависит от времени трансформации Xe8+. в более высокоионизованные ионы. Выполненное теоретическое исследование позволяет определить оптимальные параметры накачки, при которых произведение коэффициента усиления g на длину активной среды L оказывается порядка 20, что превышает экспериментальные значения gL.