Оптический параметрический генератор на кристалле HgGa2S4 / В.В. Бадиков, А.К. Дон, К.В. Митин и др. // Квантовая электроника. – 2003. – № 9. – С.831–832
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 9. Т. 33 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2003
Анотація:
Впервые получена и исследована параметрическая генерация на кристалле HgGa2S4 с накачкой излучением наносекундного Nd:YAG-лазера. Проведенные эксперименты показали перспективность использования кристаллов HgGa2S4 для создания эффективных оптических параметрических генераторов в среднем ИК диапазоне.