Антипов О.Л. Интерферометрические исследования электронных изменений показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при интенсивной накачке / О.Л. Антипов, О.Н. Еремейкин, А.П. Савикин // Квантовая электроника. – 2003. – № 10. – С.861–868
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 10. Т. 33 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2003
Анотація:
С помощью поляризационного интерферометра исследованы изменения показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при его интенсивной накачке. Выявлена значительная электронная компонента изменений показателя преломления, связанная с возбуждением электронного уровня 4F3/2 ионов Nd3+ при накачке кристалла излучением импульсной диодной матрицы на длине волны 808 нм. При дополнительной накачке кристалла Nd:YAG лазерным пучком на длине волны 266 нм обнаружено существенное возрастание электронной компоненты показателя преломления, обусловленное заселением высокоэнергетичного уровня 2F(2)_{5/2. С помощью аналитических расчётов показано, что коротковолновые 4f-5d-переходы вносят доминирующий вклад в поляризуемость возбуждённых ионов Nd3+ на длине волны рабочего лазерного перехода 1064.2 нм.