Лазерное напыление пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки / А.Н. Жерихин, А.И. Худобенко, Р.Т. Вилльямс и др. // Квантовая электроника. – 2003. – № 11. – С.975–980
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 11. Т. 33 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2003
Анотація:
Исследовано лазерное напыление пленок оксида цинка. Для предотвращения попадания на пленку микрочастиц, возникающих при лазерной абляции мишени, использовался промежуточный экран. Изучено влияние условий напыления на морфологию пленки, ее электрические свойства и кристаллическую структуру. Показано, что методом лазерного напыления можно получать пленки с проводимостью обоих типов. Удельное сопротивление пленок составило 0.07 Ом.см для пленок с проводимостью n-типа и 0.08 Ом.см для пленок с проводимостью р-типа. Исследования фотолюминесценции пленок показали, что при интенсивности накачки свыше 6 МВт/см2 в пленках генерируется вынужденное излучение.