Свойства подзатворного окисла р-канальных МДП-транзисторов, сформированных имплантацией ионов BF2+ / Н.Н. Герасименко, А.Н. Тарасенков, Е.В. Кузнецов, Є.Ю. Денисенко // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №6. – С.7–11
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №6 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Приведены результаты исследований электрических параметров подзатворного окисла р-канальных МДП-транзисторов. При формировании областей сток-исток использовался ион BF2+. Показано, что количество "внешних" дефектов в подзатворном оксиде МДП-структур снизилось в три раза, ток, при котором происходил пробой подзатворного диэлектрика, увеличился от 1 до 5-6 мА; снижен эффективный заряд в позатворном диэлектрике