Беспалов В.А. Формирование высоколегированных p+-областей GaAs, AlGaAs с использованием метода импульсного фотонного отжига / В.А. Беспалов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №6. – С.3–6
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №6 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Для создания p+-областей GaAs, AlGaAs исследовано влияние режимов работы ионного легирования и импульсного фотонного отжига на распределение концентрации внедренных примесей по толщине структур. Установлено, что использование импульсного фотонного отжига в условиях высокого давления ионно-легированных Be и Zn структур GaAs позволяет в 2-3 раза повысить степень активации примесей и существенно уменьшить процессы деструктирования поверхности GaAs