Ап-конверсия и перенос энергии возбуждения примесных ионов в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+ / Н.В. Знаменский, Э.А. Маныкин, Ю.В. Орлов и др. // Квантовая электроника. – 2004. – № 7. – С.617–622
Складова документа:
Квантовая электроника : научный журнал. № 7. Т. 34 / ФИАН . МИФИ и др. // Квантовая электроника. – Москва, 2004
Анотація:
При нерезонансной лазерной накачке с определенной плотностью мощности в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+ обнаружена антистоксова флуоресценция с уровня 3P0 примесных ионов. Интегральная интенсивность антистоксовой 3P0-флуоресценции нелинейно зависит от плотности мощности излучения накачки. При изменении атомной концентрации примесных ионов (0.3%, 0.6% и 1.8%) имеет место насыщение интенсивности 3P0-флуоресценции, которое связано с концентрационным тушением 1D2-терма примесных ионов Pr3+. Антистоксова 3P0-флуоресценция и тушение 1D2-терма являются следствием кросс-релаксации энергии электронных возбуждений термов примесных ионов Pr3+.