У роботі запропоновано підхід по дослідженню рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду у технологічних пластинах Si тепловізійним методом. До уваги взято час життя, дифузійна довжина і швидкість поверхневої рекомбінації носіїв заряду. Метод базується на вивченні просторового розподілу теплового випромінювання зразків Si за краєм власного поглинання в спектральному діапазоні 3–5 мкм за допомогою ІЧ камери. Наведено експериментальні результати досліджень технологічних зразків кремнію: розподіл концентрації надлишкових носіїв заряду в зразках кремнію (n–Si, r = 500 Ом•см, d = 8 мм) і дифузійний розподіл носіїв заряду при Т = 150 °С. Температурна залежність дифузійної довжини і об’ємного часу життя в зразках кремнію виміряна трьома різними методами: за допомогою ІЧ камери, по кінетиці спаду теплового випромінювання за краєм власного поглинання при лазерному збудженні, і методом затухання фотопровідності. Запропонований підхід впроваджено в процесі вхідного контролю пластин кремнію, що використовуються для виготовлення сонячних панелей АТ «Квазар».