Козлов А.В. Механизм возникновения отрицательной относительной чувствительности по току латеральных биполярных магнито-чувствительных транзисторов / А.В. Козлов, М.А. Ревелева, Р.Д. Тихонов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №5. – .57–62
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №5 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
С помощью современного двумерного приборно-технологического моделирования исследована рекомбинация по механизму Шокли-Рида-Холла в объеме материального биполярного магниточувствительного транзистора, сформированного в диффузионном кармане. Показано, что при выборе определенных параметров кармана и режима работы с одинаковым потенциалом на подложке и кармане в объеме прибора формируются потоки электронов и дырок, идущих на рекомбинацию. При воздействии магнитного поля на эти потоки возникает объемный концентрационно-рекомбинационный механизм отрицательной относительной магниточувствительности по току.