Эпитаксиальные структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе слоев GaAs:Sn,Cr / С.М. Гущин, Л.П. Пороховниченко, В.П. Гермогенов, О.Г. Шмаков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №5. – С.32–37
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №5 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Исследовані условия легирования примесями олова и хрома слоев