Беспалов В.А. ИК фотоприемные интегральные микросхемы на основе арсенида галлия / В.А. Беспалов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №5. – С.9–13
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №5 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Показано, что для создания ИК-фотоприемников на основе AlGaAs(Mn) с рабочей температурой 45-50 К., чувствительных в спектральном диапазоне 8-14 мкм, необходимо обеспечить оптимизацию фоточувствительного слоя . Установлено, что оптимальный состав фоточувствительного слоя по критерию минимума разности температур между фоном и объектом при условии преобладания генерационно-рекомбинационного шума соответствует х-0,11-0,12