Исследование барьерных свойств сплава Ta-W-N в составе многослойной системы металлизации ИС / А.Г. Климовицкий, А.И. Мочалов, Д.Г. Громов и др. // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №5. – C.3–8
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №5 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Представлены результаты исследования свойств сплава Ta-W-N с целью применения его в качестве материала дифузионно-барьерного слоя в системе многослойной металлизации с проводящим слоем на основе меди. Показано, что тонкие слои сплава W-Ta-N обладают достаточно низким удельным сопротивлением (-260 мкОм.см), сохраняют аморфное состояние в структуре Cu/W-Ta-N/Si до 700 град. С., не взаимодействуют с медью и выталкивают ее из объема на поверхность