Мурыгин В.И. Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнями / В.И. Мурыгин, В.В. Лосев, В.Б. Гундырев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №4. – С.13–19
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №4 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Показано, что для компенсированного полупроводника с глубокими примесными уровнями неравновесная плотность объемного заряда в уравнении Пуассона можно заменить эфективной равновесной плотностью объемного заряда. в которую входят равновесная концентрация свободных носителей заряда и равновесные концентрации ионов и нейтральных атомов примеси. Это позволяет для нахождения ширины области объемного заряда и барьерной емкости контакта металл-полуповодник и несимметричного резкого р-n перехода использовать известные формулы, аналогичные формулам для некомпенсированного полупроводника. Полученная зависимость барьерной емкости от напряжения смещения сопоставляется в основном с результатами экспериментальных исследований вольтфарадных характеристик различных структур из карбида кремния