Егоркин В.И. Исследование акустического переноса заряда в гетероструктурах на основе арсенида галлия / В.И. Егоркин, А.К. Мороча // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №3. – С.11–14
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №3 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Проведено моделирование параметров образцов гетероструктур AlGaAs-GaAs-AlGaAs для исследования акустического переноса зарядов в условиях, когда встроенное электрическое поле в канале переноса перпендикулярно напрввлению распространения акустоэлектрической волны. Результаты моделирования использованы для создания опытных образцов, на которых исследовано влияние встроенного поперечного поля на эффективность акустического переноса зарядов