Экспериментально исследованы возможности увеличения чувствительности сенсоров магнитного поля за счет комбинации в одной схеме сенсора чувствительных элементов разных типов. В работе предложены четыре новых конструкции сенсоров: на основе мостовой схемы, на основе магнитотранзистора в комбинации с магнитодиодом или со вторым магнитотранзистором, и с частотным выходом. Экспериментально подтверждено, что при использовании в мостовой схеме четырех полярных магнитодиодов, вместо двух неполярных, получается более термостабильный и радиационно более стойкий сенсор с чувствительностью в 10 раз большей, чем у обычного двухдиодного мостового сенсора. Описаны конструкции сенсоров из двухколлекторного магнитотранзистора в комбинации с двумя полярными магнитодиодами или одним дополнительным магнитотранзистором. Экспериментально установлено, что чувствительность таких приборов в 6 и 4 раза выше, по сравнению с однотранзисторным сенсором, при этом, повышается их температурная стабильность и радиационная стойкость. Схема релаксационного генератора на одном однопереходном транзисторе предложена в качестве сенсора магнитного поля с частотным выходом. Экспериментально подтверждено, что включение в схему генератора дополнительного магнитодиода увеличивает чувствительность в 2,3 раза по сравнению с однотранзисторным сенсором, и повышает устойчивость к внешним воздействиям. Описанные приборы могут быть использованы в качестве эффективных сенсоров магнитного поля в беспроводных коммуникационных сетях.