Математическая модель геометрии теплового узла ростовой установки для выращивания монокристаллов GaAs методом Чохральского / А. П. Оксанич, П. А. Хозя, И. В. Шевченко, В. А. Тербан // Прикладная радиоэлектроника. – 2008. – №4. – С.351–355.
Складова документа:
Прикладная радиоэлектроника : научно-технический журнал. №4. Т. 7 / АН Прикладной Радиоэлектроники, ХНУРЭ // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков, 2008