Лавинный пробой в полевых транзисторах с затвором Шоттки на GaAs по результатам численного моделирования / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко и др. // Прикладная радиоэлектроника. – 2005. – №3. – С.353–356.
Складова документа:
Прикладная радиоэлектроника : научно-технический журнал. №3. Т. 4 / АН Прикладной Радиоэлектроники, ХНУРЭ // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков, 2005