Оксанич А. П. Моделирование процессов образования дислокаций под действием термических напряжений в слитках GAAS, выращиваемых из расплава методом Чохральского с жидкостной герметизацией / А. П. Оксанич, Л. Г. Шепель, В. В. Батареев // Прикладная радиоэлектроника. – 2005. – №2. – С.185–194.
Складова документа:
Прикладная радиоэлектроника : научно-технический журнал. №2. Т. 4 / АН Прикладной Радиоэлектроники, ХНУРЭ // Прикладная радиоэлектроника. – Харьков, 2005