Формирование и исследование СВЧ полевіх транзисторов на основе гетероструктур GaAs/GaAlAs/GaAs / Б.И. Селезнев, А.П. Штейнгарт, В.Л.. Романов и др. // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №2. – C.32–39
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №2 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
Исследованы электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных структур
GaAs/GaAlAs/GaAs и разработаны на их основе технологии изготовления кристаллов СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки
GaAs/GaAlAs/GaAs и разработаны на их основе технологии изготовления кристаллов СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки