Хохлов А.Ф. Исследование свойств силицина – новой аллотропной формы кремния / А.Ф. Хохлов, А.И. Машин, А.В. Ершов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2003. – №1. – C.5–15
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Электроника : научно-технический журнал. №1 / М-во образ. РФ. МИЭТ // Известия высших учебных заведений. Электроника. – М., 2003
Анотація:
При отжиге в вакууме при 500 градусов Цельсия гидрогенезированного аморфного кремния получен новый материал-силицин, представляющий собой тонкие аморфные пленки кремния с линейным расположением атомов. Обсуждаются факторы, влияющие на эффективность структурных перестроек при отжиге, и исследуются некоторые свойства силицина. Предложены возможные модели новых структурных форм кремния. Экспериментальные данные хорошо согласуются с результатами неэмпирических квантово-химических расчетов для кремниевых кластеров