Ширин Аскари. Проектирование и анализ кольцевого VCO на базе 65-нм CMOS технологии с широким диапазоном перестройки / Аскари Ширин, Саней Мохсен, Салем Саназ // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2019. – № 5(683). – С. 287–296. – (Известия высших учебных заведений)
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника : научно-технический журнал. № 5(683). Т. 62 / НТУ Украины "Киевский политехнич.ин-т" // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – Киев, 2019. – (Известия высших учебных заведений)
Анотація:
В статье предложен кольцевой генератор, управляемый напряжением VCO (Voltage-Controlled Oscillator), с четырьмя каскадами, состоящий из ячеек дифференциальной задержки с двумя управляющими напряжениями. Этот VCO использует технику петли с двойной задержкой для достижения высокой рабочей частоты. Каждая ячейка задержки предлагаемого VCO включает в себя две пары транзисторов нагрузки PMOS и NMOS с перекрестными связями для формирования защелки. «Сила» и рабочая частота добавленной защелки регулируются с помощью пары перекрестных NMOS транзисторов. Кроме того, изменено влияние вторичного пути предлагаемого VCO для регулирования частоты при работе на высоких частотах. Данный VCO смоделирован при использовании 65-нм CMOS технологии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) в программном пакете Cadence при напряжении питания 1,2 В. Широкий диапазон перестройки предлагаемого VCO варьируется от 4,25 до 21,31 ГГц (80,07%), а его мощность составляет 12,36 мВт на частоте 4,25 ГГц. Фазовый шум имеет величину –90,47 дБн/Гц при смещении 1 МГц и –117,4 дБн/Гц при смещении 10 МГц от 4,25 ГГц. При этом его площадь составляет 535,99 мкм2.