Сингх Ш. Усовершенствованная ячейка SRAM с большим статическим запасом помехоустойчивости и повышенной стабильностью c применением мемристоров 45-нм технологии / Ш. Сингх, В. Мишра // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – №5(671). – С. 267–274. – (Известия высших учебных заведений)
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника : научно-технический журнал. №5(671). Т.61 / НТУ Украины "Киевский политехнич.ин-т" // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – Киев, 2018. – (Известия высших учебных заведений)
Анотація:
Технология сверхбольших интегральных схем VLSI (very large scale integrated) завоевала популярность благодаря возможности значительного изменения и адаптации. Развитие данных платформ идет по пути уменьшения размеров элементов. Но происходит не только уменьшение размеров, но и революция в конструировании, когда все схемы переключаются с уровня единичных элементов к уровню других появляющихся устройств. В этой борьбе мемристоры более способны закрепится в области VLSI по сравнению с другими новыми устройствами. В данной работе представлено изучение статического запаса помехоустойчивости, подчеркивается новая проблема точности, поскольку шум оказывает большое влияние на напряжение удержания ячейки SRAM и это влияние в мемристорной ячейке меньше, чем для традиционной ячейки 7T SRAM. Результаты имитационного моделирования представлены для ячейки 7T SRAM и мемристорной 7T SRAM ячейки технологии 45 нм. В данной работе обсуждается и сравнивается влияние коэффициентов ячейки и нагрузки.
Тема:
- УДК
- 621.382 Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи Ключові слова латиницею
- Static random access memory, SRAM
- Read static noise margin, RSNM
- Write static noise margin, WSNM Ключові слова
- напруга шуму, напряжение шума
- мемристори, мемристоры
- коефіцієнт навантаження, коэффициент нагрузки
- коефіцієнт комірки, коэффициент ячейки