В статье приведен анализ потребляемой мощности и величины задержки 4x1 мультиплексора на базе расширенной конфигурации n-МОП транзистора AT-NMOS (Augmented Transistor NMOS). Рассмотрено влияние различных уровней общей ширины канала транзистора на характеристики мощности утечки и задержки в случае 45 нм технологии. Установлено, что параметр эффективности улучшается в предлагаемой конструкции на основе расширенной конфигурации p-МОП транзистора с закороченным участком затвор–исток и n-МОП структурой ASG-S PMOS-NMOS (Augmented Shorted Gate-Source PMOS with NMOS) по сравнению с 4x1 мультиплексором на основе конфигурации расширенного n-МОП транзистора со статическим порогом ST-ATNMOS (Static Threshold AT-NMOS). При этой комбинации получены желаемые параметры рабочей характеристики проектируемой схемы. В работе рассмотрено два типа моделей для 4x1 мультиплексора. Показано, что мощность утечки существенно сокращается. Характеристика задержки также улучшается до 5% при источнике питания 1 В в случае рассмотрения многоуровневой ширины канала транзистора для оценки моделей 4x1 мультиплексора на основе различных конфигураций расширенного n-МОП транзистора AT-NMOS. Моделирование осуществлялось при использовании моделирующих программ Cadence Analog Virtuoso и Spectre Simulator применительно к 45 нм КМОП-технологии.

Ключевые слова

расширенный n-МОП транзистор со статическим порогом; ST-ATNMOS; расширенный p-МОП транзистор с закороченным участком затвор-исток и n-МОП структурой; ASG-S PMOS-NMOS; мощность утечки; задержка