Махендранат Б. Выходной буфер 1,8 В на основе 180 нм КМОП технологии для устройств 3,3 В / Б. Махендранат, А. Сринивасулу // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2017. – №11(665). – С. 663–672. – (Известия высших учебных заведений)
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника : научно-технический журнал. №11(665). Т. 60 / НТУ Украины "Киевский политехнич.ин-т" // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – Киев, 2017. – (Известия высших учебных заведений)
Анотація:
В работе представлен выходной буфер на базе низковольтных устройств (+1,8 В) для работы с сигналами высокого напряжения +3,3 В интерфейса PCI-X (peripheral component interconnect extended), реализованный с помощью КМОП-технологического процесса 180 нм. Поскольку PCI-X является интерфейсом +3,3 В, нагрузка на оксидный затвор создает проблемы при разработке входных-выходных цепей для устройств 180 нм КМОП-процесса. Производительность предложенного выходного буфера оценивалась с применением программы Cadence и параметров модели 180 нм КМОП-процесса. Экспериментальные результаты подтверждают, что предложенный буфер эффективно работает с интерфейсом +3,3 В на частоте 100 МГц без существенного перенапряжения на оксидном затворе. В данной работе также представлен новый преобразователь уровня, реализованный на устройствах +1,8 В, который может преобразовывать размах напряжения 0/1 В в размах напряжения 0/3,3 В. Результаты компьютерного моделирования подтверждают, что предложенный преобразователь работает с достаточной точностью без какого-либо перепада напряжения. Предложенная топология имеет низкую чувствительность, что позволяет ее реализовать на СБИС. Предложенные схемы возможно реализовать с помощью низковольтных устройств без потери производительности.