О механизме радиационной чувствительности падения напряжения силового диода / А. В. Каримов, А. З. Рахматов, С. П. Скорняков и др. // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2017. – №6(660). – С. 348–352. – (Известия высших учебных заведений)
Складова документа:
Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника : научно-технический журнал. №6(660). Т. 60 / НТУ Украины "Киевский политехнич.ин-т" // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – Киев, 2017. – (Известия высших учебных заведений)
Анотація:
Проведены экспериментальные исследования зависимости падения прямого напряжения и вольтамперной характеристики кремниевого силового диода от дозы облучения электронами. Установлено, что с увеличением дозы облучения от 2?1014 до 2?1015 Фe/см2прямое падение напряжения на диоде монотонно увеличивается, а времена жизни неосновных носителей заряда уменьшаются до одного порядка. В формировании вольтамперной характеристики после облучения электронами, наряду с уменьшением времени жизни неосновных носителей, преобладающую роль играет уменьшение концентрации основных носителей базы.